型号 PHT2010Y1000BGT200
厂商 Vishay Sfernice
描述 RES 100 OHM 100MW 0.1% 2010
PHT2010Y1000BGT200 PDF
代理商 PHT2010Y1000BGT200
标准包装 1
系列 PHT
电阻(欧姆) 100
功率(瓦特) 0.1W,1/10W
复合体 薄膜
温度系数 ±25ppm/°C
容差 ±0.1%
封装/外壳 2010(5125 公制)
尺寸/尺寸 0.200" L x 0.100" W(5.08mm x 2.54mm)
高度 0.025"(0.63mm)
端子数 2
包装 标准包装
其它名称 PHTH-100DKR
同类型PDF
PHT2010Y1000BGT200 Vishay Sfernice RES 100 OHM 100MW 0.1% 2010
PHT2010Y1000BGT200 Vishay Sfernice RES 100 OHM 100MW 0.1% 2010
PHT2010Y1001BGT200 Vishay Sfernice RES 1.0K OHM 100MW 0.1% 2010
PHT2010Y1001BGT200 Vishay Sfernice RES 1.0K OHM 100MW 0.1% 2010
PHT2010Y1001BGT200 Vishay Sfernice RES 1.0K OHM 100MW 0.1% 2010
PHT2010Y1002BGT200 Vishay Sfernice RES 10K OHM 100MW 0.1% 2010
PHT2010Y1002BGT200 Vishay Sfernice RES 10K OHM 100MW 0.1% 2010
PHT2010Y1002BGT200 Vishay Sfernice RES 10K OHM 100MW 0.1% 2010
PHT2010Y1003BGT200 Vishay Sfernice RES 100K OHM 100MW 0.1% 2010
PHT2010Y1003BGT200 Vishay Sfernice RES 100K OHM 100MW 0.1% 2010
PHT2010Y1003BGT200 Vishay Sfernice RES 100K OHM 100MW 0.1% 2010
PHT2010Y3004BGT200 Vishay Sfernice RES 3.0M OHM 100MW 0.1% 2010
PHT2010Y3004BGT200 Vishay Sfernice RES 3.0M OHM 100MW 0.1% 2010
PHT2010Y3004BGT200 Vishay Sfernice RES 3.0M OHM 100MW 0.1% 2010
PHT2NQ10T,135 NXP Semiconductors MOSFET N-CH 100V 2.5A SOT223
PHT4NQ10LT,135 NXP Semiconductors MOSFET N-CH 100V 3.5A SOT223
PHT4NQ10LT,135 NXP Semiconductors MOSFET N-CH 100V 3.5A SOT223
PHT4NQ10LT,135 NXP Semiconductors MOSFET N-CH 100V 3.5A SOT223
PHT4NQ10T,135 NXP Semiconductors MOSFET N-CH 100V 3.5A SOT223
PHT4NQ10T,135 NXP Semiconductors MOSFET N-CH 100V 3.5A SOT223